VLSI Technology  【個人用ＤＢです】
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　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　1997　作成


DIF　目次


*****日本語目次*****


７章　拡散
　　７.１　INTRODUCTIONへ**作成中***
　　７.２　固体中の拡散モデルへ**作成中***
　　７.３　Ｆｉｃｋの１次拡散式へ**作成中***
　　　　７.３.１　一定条件下での拡散へ**作成中***
　　　　　　　（１）表面濃度一定へ**作成中***
　　　　　　　（２）トータル不純物量一定へ**作成中***
　　　　７.３.２　濃度依存拡散へ**作成中***
　　　　７.３.３　拡散係数の温度依存性へ**作成中***
　　７.４　原子拡散メカニズムへ**作成中***
　　７.５　Ｂ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂの拡散へ**作成中***
　　　　７.５.１　Intrinsic Siliconへの低不純物濃度拡散へ**作成中***
　　　　７.５.２　電場効果へ**作成中***
　　　　７.５.３　バンドギャップ縮小効果へ**作成中***
　　　　７.５.４　高濃度効果へ**作成中***
　　　　７.５.５　高濃度における分析的表現へ**作成中***
　　７.６　測定技術へ**作成中***
　　　　７.６.１　接合深さとシート抵抗へ**作成中***
　　　　７.６.２　（濃度）プロファイル測定へ**作成中***
　　７.７　高濃度拡散物質へ**作成中***
　　７.８　ポリシリコンの拡散へ**作成中***
　　７.９　ＳｉＯ２の拡散へ**作成中***
　　７.１０　増速・抑制拡散へ**作成中***
　　　　７.１０.１　酸化雰囲気拡散へ**作成中***
　　　　７.１０.２　拡散の平面方向効果へ**作成中***
　　７.１１　まとめ　と　将来動向へ**作成中***


************入力中************


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