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1997 作成
VLSI Technology 目次
*****日本語目次*****
１章 結晶成長とウェーハ準備
１.１ INTRODUCTION
１.２ 電子デバイス用シリコン
１.３ ＣＺ法結晶成長
１.３.１ 結晶構造
１.３.２ 結晶成長の理論
１.３.３ 結晶成長の実践
１.３.４ シリコン中の酸素と炭素
１.３.５ 結晶の成長と評価
１.４ シリコンの加工
１.４.１ 加工作業
１.４.２ エッチング
１.４.３ ポリッシング
１.５ プロセスの検討
１.５.１ 化学的洗浄
１.５.２ ゲッタリング処理
１.５.３ 熱ストレス要因
１.６ まとめ と 将来動向
２章 エピタキシャル成長
２.１ INTRODUCTION
２.２ 気相エピタキシャル成長
２.２.１ 成長プロセスの基本と熱力学反応
２.２.２ ドーピングとオートドーピング
２.２.３ 装置・立ち上げ・安全性の検討
２.２.４ プロセスの選択と可能性
２.２.５ 埋め込み層
２.２.６ エピタキシャル成長時の欠陥
２.２.７ ミクロレベルの成長プロセス
２.２.８ 先進レベルのＣＶＤ法
２.３ 分子線エピタキシー
２.３.１ 装置
２.３.２ 膜の特性
２.４ ＳＯＩ
２.４.１ Ｓｉｌｉｃｏｎ ＯＮ Ｓａｐｐｈｉｒｅ
２.４.２ Ｓｉｌｉｃｏｎ ＯＮ Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ
２.５ エピタキシャル成長膜の評価
２.５.１ エピタキシャル成長膜の膜厚
２.５.２ エピタキシャル成長時の不純物導入
２.５.３ **********
２.５.４ ライフタイム
２.６ まとめ と 将来動向
３章
３.１ INTRODUCTION
３.２ 成長メカニズムと熱力学
３.２.１ シリコン酸化モデル
３.２.２ 実験結果との整合性
３.２.３ 拡散物質と相互作用
３.２.４ さん加速度の結晶方位依存性
３.２.５ 酸化速度における不純物とダメージの効果
３.３ 薄い酸化
３.３.１ 成長技術
３.３.２ 薄い酸化膜成長の熱力学
３.３.３ 薄い酸化膜の特性
３.４ 酸化技術とシステム
３.４.１ 前処理
３.４.２ Ｄｒｙ、HCL Ｄｒｙ、Ｗｅｔ酸化
３.４.３ 高圧酸化
３.４.４ プラズマ酸化
３.５ 酸化時の特性
３.５.１ ＳｉＯのマスキング特性
３.５.２ 酸化膜のチャージ
３.５.３ 酸化膜のストレス
３.６ 接合界面における不純物の再配分
３.７ ポリシリコンの酸化
３.８ 酸化起因効果
３.８.１ 酸化成長起因積層欠陥
３.８.２ 酸化膜分離効果
３.９ まとめ と 将来動向
４章 リソグラフィー技術
４.１ INTRODUCTION
４.２ 光学的リソグラフィー技術
４.２.１ 光学用レジスト
４.２.２ 密着・プロキシミティー露光
４.２.３ プロジェクション（投影）露光
４.３ 電子線リソグラフィー技術
４.３.１ レジスト
４.３.２ マスク製作
４.３.３ 電子線光学
４.３.４ ラスタースキャンとベクタースキャン
４.３.５ 可変ビーム形成
４.３.６ 電子線プロジェクション
４.４ Ｘ線リソグラフィー技術
４.４.１ レジスト
４.４.２ プロキシミティー露光
４.４.３ Ｘ線源
４.４.４ Ｘ線用マスク
４.４.５ シンクロトロン放射光
４.４.６ 商用Ｘ線装置
４.５ イオンリソグラフィー技術
４.６ まとめ と 将来動向
５章 反応性プラズマエッチング技術
５.１ INTRODUCTION
５.２ プラズマの特性
５.２.１ ＤＣプラズマ励起
５.２.２ ＡＣプラズマ励起
５.２.３ 等価回路
５.２.４ プラズマ分析技術
５.２.５ プラズマ化学
５.２.６ プラズマ表面の反応
（１）スパッタリング
（２）プラズマ表面の化学
５.３ 形状コントロールと異方性エッチングメカニズム
５.３.１ パターン転写
５.３.２ イオン促進とイオン化起因エッチ
５.３.３ 再結合種メカニズム
５.３.４ サイドウォール効果
５.３.５ 端面形状に影響する他の要因
５.４ エッチプロセスの他の特性
５.４.１ 選択性
５.４.２ 均一性
５.４.３ スループット
５.４.４ 欠陥と不純物導入
５.４.５ 誘電体による放射ダメージ
５.５ 反応性プラズマエッチング技術と装置
５.５.１ プラズマエッチとバレル反応体
５.５.２ 反応性イオンエッチング
５.５.３ 反応性イオンビームエッチ
５.５.４ マイクロ波プラズマエッチ
５.５.５
５.５.６ プラズマパラメーターの効果
５.５.７ プロセスモニタと終点検出
５.６ エッチプロセスの特徴
５.６.１ ポリ結晶シリコン／ポリサイド
５.６.２ トレンチエッチング
５.６.３ 酸化膜とナイトライド膜
５.６.４ アルミ膜
５.６.５ 平坦化
５.７ まとめ と 将来動向
６章 誘電体とポリシリコン膜デポ
６.１ INTRODUCTION
６.２ デポプロセス
６.２.１ 反応
６.２.２ 装置
６.２.３ 安全性
６.３ ポリシリコン
６.３.１ デポ（条件）
６.３.２ 構造
６.３.３ ポリシリコンへの不純物導入
６.３.４ ポリシリコン酸化
６.３.５ ポリシリコンの特性
６.３.６ 酸素をドープしたポリシリコン
６.４ シリコン酸化膜
６.４.１ デポ方法
６.４.２ デポ（条件）
６.４.３ ステップカバレジ
６.４.４ リンガラスフロー
６.４.５ シリコン酸化膜の特性
６.５ シリコンナイトライド
６.５.１ デポ（条件）
６.５.２ シリコンナイトライド膜の特性
６.６ プラズマアシストデポ
６.６.１ デポ（条件）
６.６.２ プラズマデポ膜の特性
６.７ 他の材料
６.８ まとめ と 将来動向
７章 拡散 --日本訳 目次 --
７.１ INTRODUCTION
７.２ 固体中の拡散モデル
７.３ Ｆｉｃｋの１次拡散式
７.３.１ 一定条件下での拡散
（１）表面濃度一定
（２）トータル不純物量一定
７.３.２ 濃度依存拡散
７.３.３ 拡散係数の温度依存性
７.４ 原子拡散メカニズム
７.５ Ｂ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂの拡散
７.５.１ Intrinsic Siliconへの低不純物濃度拡散
７.５.２ 電場効果
７.５.３ バンドギャップ縮小効果
７.５.４ 高濃度効果
７.５.５ 高濃度における分析的表現
７.６ 測定技術
７.６.１ 接合深さとシート抵抗
７.６.２ （濃度）プロファイル測定
７.７ 高濃度拡散物質
７.８ ポリシリコンの拡散
７.９ ＳｉＯ２の拡散
７.１０ 増速・抑制拡散
７.１０.１ 酸化雰囲気拡散
７.１０.２ 拡散の平面方向効果
７.１１ まとめ と 将来動向
８章 インプラ
８.１ INTRODUCTION
８.２ レンジ理論
８.２.１ イオンの停止
８.２.２ レンジでの分布
８.２.３ ダメージ
８.２.４ チャネリング
８.２.５ Recoils
８.３ イオン打ち込み装置
８.３.１ 基本構造
８.３.２ 高電流・高エネルギー装置
８.３.３ 均一性
８.３.４ コンタミネーション（汚染）
８.３.５ 収束イオンビーム
８.４ アニール
８.４.１ 炉体アニール法
８.４.２ ＲＴＰ法
８.５ 浅い接合形成
８.５.１ 低エネルギーインプラ
８.５.２ 角度インプラ
８.６ 高エネルギーインプラ
８.６.１ 埋め込みコンダクター
８.６.２ 埋め込みインシュレーター
８.７ まとめ と 将来動向
９章 金属膜形成
９.１ INTRODUCTION
９.２ 金属膜形成の応用
９.２.１ ゲートと内部接続
９.２.２ オーミックコンタクト
９.２.３ 他の応用
９.３ 金属膜形成の選択
９.３.１ 金属とアロイ
９.３.２ 特性
９.３.３ 半導体上の安定性とインシュレーター
９.４ PＶＤ
９.４.１ デポ方法
９.４.２ デポ装置とプロセス
９.４.３ ＰＶＤの基礎
９.４.４ デポプロセスの最適化
９.５ パターニング
９.５.１ ドライ 又は 化学エッチング
９.５.２ 自己整合シリサイド
９.６ 金属膜形成の問題点
９.６.１ デポ
９.６.２ プロセス
９.６.３ 金属・科学的相互作用
９.６.４ エレクトロマイグレーション
９.７ 金属膜形成の新しい役割
９.７.１ 多層配線
９.７.２ エピ成長金属・３次元デバイスとヘテロ接合
９.７.３ 拡散に対するバリア
９.７.４ Reductant Metal Links
９.８ まとめ と 将来動向
１０章 プロセスシュミレーション
１０.１ INTRODUCTION
１０.２ インプラ
１０.２.１ モンテカルロ法
１０.２.２ ボルツマン移動方程式
１０.３ 拡散と酸化
１０.３.１ 基本式
１０.３.２ 酸化と（不純物）再配分
１０.３.３ ２次元ＬＯＣＯＳシュミレーション例
１０.４ エピタキシャル成長
１０.４.１ エピタキシャル成長時のドープモデル
１０.５ リソグラフィー
１０.５.１ 光学的投影法によるリソグラフィー
１０.５.２ 電子線リソグラフィー
１０.６ エッチングとデポジション
１０.７ まとめ と 将来動向
１１章 ＶＬＳＩプロセス集積化
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