tech^dEV
tech^dEV ビジョン
tech^dEVは、新技術の可能性を追求し、新技術を開発、提案し、その技術を製品化レベルに高め、新分野を開拓していきます。
tech^dEV 沿革
2005~2010 室温における無機ガラス密封封止技術、MEMS双安定光位相変調器等の半導体素子関係の技術開発を進め、特許出願
2010.06.21 個人事業開業、屋号ミンツー。事業内容；半導体素子技術開発
2012.10.19 日本国特許番号5109013号登録、室温における無機ガラス密封封止技術
2012.11.11 屋号を tech^dEV に変更
2012.11.22 日本国特許番号5135505号登録、双安定光位相変調器
2013.12/17 米国特許番号US 8610997 B2登録 MICRO-ELECTROMECHANICAL DEVICE
2015から現在 光位相多重多値記録再生ホログラムメモリ技術への応用を目指しマイクロマシン双安定光位相変調器の開発を継続し、
開発内容の進捗は以下に公表してきた。
2015.3/11 歸山敏之、“室温でガラス化硬化するSiO2 膜の封止スペース内形成”, 第62回応用物理学会春季
学術講演会, 11a-D8-9, 05-010, 2015
2016.3/22 歸山敏之、“室温において封止スペース内に形成したSiO2 接着層の封止性”, 第63回応用物理学会春季学術講演会,
22p-H103-8, 04-357
2017.3/16 歸山敏之、“MEMS 光位相変調装置に関する検討”, 第64回応用物理学会春季学術講演会”,
16p-P14-1, 03-535
2018.3/18 歸山敏之、“MEMS 双安定光位相変調器を使用した場合の位相多重ホログラフィーによるデジタル
データの書き込みと読み取りの検討”, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 19a-P2-4, 03-344, 2018
2018.10/30 歸山敏之、“MEMS双安定光位相変調素子-スパッタ堆積Al薄膜による片持ち梁停止板設計”,
第35回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム, 電気学会E部門大会・センサシンポジウム
2019.3/10 歸山敏之、“位相多値ホログラフィーメモリにおける3ビットデジタルデータ記録・再生への位相光波の1設計”
, 第66回応用物理学会春季学術講演会, 10a-PA1-3, 03-246
2022.6/7 歸山敏之“マイクロミラー位置を設定するスタックカンチレバー停止板の設計”,電気学会E部門総合研究会 マイクロマシン・センサシステム研究会, MSS-22-026
tech^dEV 事業主について
歸山敏之(かえりやまとしゆき) 1949年富山県に生まれ、1974年4月に神奈川県の某企業に就職、1982年3月に
外資系半導体製造企業に転職、ダイナミックランダムアクセスメモリ
(DRAM)半導体素子プロセス開発、マイクロマシン、デジタルマイクロミラーデバイス(DMD)開発に従事、
256KB、1MB、4MB、64MB、256MB DRAM、DMDの量産認定に実績、20件以上の米国特許、2007年3月に同社を退社。
2010年6月に個人事業を開業、光位相変調による多重多値ホログラフィーメモリ技術による数テラバイト容量
光学ディスク実現にむけた高速動作マイクロマシン双安定光位相変調器を発明、その開発を推進。
住所 300-24 茨城県つくばみらい市
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改定日: 7/14 2022