真空管と半導体の歴史

 エレクトロニクスの歴史は、100年程の短い歴史になります。
なかでもトランジスタをはじめとする半導体の発明で、飛躍的に発展しました。
約20年前大規模なコンピューターで専ら専門家が扱っていたものが、
いまやパソコン等誰もが容易にしかも高性能な機器を扱えるようになりました。
また 家庭電器機器、AV機器で日頃ごく身近に接しているのは、
数十年前はまさに夢物語であったでしょう。以下にその歴史を記入致します。
 1884 エジソン効果の発見 T.A.エジソン 
 1904 2極真空管 J.A.フレミング
 1907 3極真空管 L.D.フォレスト 
 1946 真空管式電子計算機 ( ENIAC)  *1  
 1947 点接触トランジスタ ベル研
 1948 接合型トランジスタ W.ショックレイ(ベル研)
 1957 エサキ(トンネル)ダイオード 江崎 (SONY)
 1959 IC基本特許 T.I 社
 1960 MOS.FET  ベル研
 1964 MOS.IC  T.I 社 GMI社
 1970 CCD ベル研
 1971 マイクロ コンピュータ 日本ビジコム & インテル
 1977 初の超LSIメモリー 64Kビット D-RAM   
 1980  256Kビット D-RAM  
 1984 1Mビット   D-RAM   
 1986 4Mビット   D-RAM  
 1987 16Mビット  D-RAM  
 1990 64Mビット  D-RAM  

参考資料:誠文堂新光社 エレクトロニクスの ABC
*1 使用真空管 18,800本, 所要電力 120KW. 重量 30t



左より 811A  2A3  6V6  6SJ7  6AB8  6BA6  サブミニチュア管