メモ

MR:磁気抵抗効果、超低温で磁気をかけると物質の電気抵抗が変わる。

GMR（Giant Magneto Resistive effect）：巨大磁気抵抗効果、1nm程度の鉄などの強磁性薄膜（F層）とクロムや銅などの非強磁性薄膜（NF層）を重ねた多層膜には数十%以上の磁気抵抗比を示すものがある ことを発見。常温でも大きく電気抵抗が変わる。グリュンベルグ、フェール両博士がこの業績で2007年のノーベル物理学賞。電子の電荷とスピンの両方を利用するスピントロニックスという分野を開いた。

TMR(Tunneling Magneto Resistive effect)：トンネル磁気抵抗効果、強磁性薄膜と酸化アルミ等の絶縁膜を積層する膜で発生。絶縁 膜が1-2ナノメートルで磁気抵抗比が最大になる。東北大の宮崎教授が常温化に成功。絶縁 膜を酸化マグネシウムにすればもっとよくなる。TDKがこの原理の磁気ヘッドを生産している。この原理を利用して磁気抵抗ランダムアクセスメモリー(MRAM)も試作されている。

CMR(Colossal Magneto Resistive effect)：マンガンを使う磁気抵抗効果。

いずれも読み出しヘッドに使う。書き込みは従来通りのU字型マグネットを使う。

GMRにより、過去10年間でHDDの容量が飛躍的に増大した。現在はTMR技術の開発時期。

Rev. October 29, 2007