メモ

●ゾーンメルティング法には原子炉の制御棒に使うアトミックグレードのグラファイトが必要。

●ゴードン・ティールは金属屋でベル研で単結晶を引き上げ法で作った

●ショックレーは点接触型トランジスターの成功の40日後接合型トランジスター理論を完成。これに基づきN-P-N接合を製作したのはゴードン・ティール。ゴードン・ティールはのちTIに移る。

●ソニーはライセンスを受けることなく独自にN-P-N接合の製造法を開発。ATT法は単結晶を引き上げ時、アンチモンを投入してN-P-N接合を作っていたが、比重差が大きくてきれいな薄いP層が出来る歩止りが低かった。ソニーはインジウム／リンを加えることにより歩止りの向上に成功。トランジスタ・ラジオの大量生産の成功のもととなる。

●シリコン酸化膜を発見したのはカールフロッシュ。この酸化膜をフォトレジストでエッチング加工する。

●ガス拡散法を開発したのはカルビンフラー。ただ本人は太陽電池の開発の方を重視している。（イオン注入、合金拡散、金属投入）

●ショックレーがシリコンバレーに研究所を作ったのはたまたま母親がいたから。メサ型トランジスタを作りたかったロバートノイスらはフェアチャイルド社を設立。より安定性のあるプレーナー型を開発。

●TIではキルビーがICの原理を考案。

●インテルでマイクロプロセッサが考案される。

●ゲルマニウムは歴史から消えたが、クレイ社、IBMなどはスパコンなど高速度素子に使用。ゲルマニウム製造者は創業者利益ならぬ生存者利益を享受している。