１月某日　オークションを見ていて、目が止まった。「１０Ｇ　５Ｗ　アンプユニット　１６Ｋ」だとな。こりゃあ安いぞ…。とりあえず注文。
２月某日　届いた物を見て、びっくり　！！　こりゃあでかい。巨大だ！！それにこんなの怖くて使えないよねぇ。しばらく神棚にかざることにした。（？）

５月某日　ＳＨＦ講習会で、某氏と話していると、「あれは半導体だけ使うといいんだよ。セブロンに基板があったんだが、まだあるかもよ」とのこと。で、ケースの大きさを見いるととても小さい。うーん、これは小さくていいなぁ・・・。
６月某日　　セブロンに電話してみた。が、「ちょうど基板がなくて、ないんですよ」とのこと。しょうがない、じゃあ別の手を…と考えた。

６月２２日　そこで、考え付いたのが今の基板をそのまま他のものに移設しよう…。その方が財布にもやさしい（？）のではないか…。検討してみると、基板とＦＥＴの入っているケース兼放熱器は、くりぬきなので、切断は無理そう。でも、アルミのチャンネル（コの字に曲げてあるやつ）を使い、基板の巾からあまる所はアルミの棒でうめたら、なんとかなりそうな気がしてきた。
　そこで帰りに東急ハンズで探したら、使えそうなのが３００円位であったので、早速、ゲット。他にも、５Ｇのフィルターの真似をして、１０Ｇ用のＢＰＦを作ってみようと思い、7mm角の真鍮角パイプ等もゲット。ゴリゴリ、ガリガリは大雑把な性格なので苦手なのだが、さて、どうやって綺麗に加工しましようかなぁ…。

６月２３日　実はこの巨大なヒートシンクも、道具があれば切断は可能だ、とのメールを長野のＪＡ０ＲＵＺ関崎さんよりいただいた。そのままで改造して５Ｗ出たよ、とのお話。うーん、アルミ用のチップソーと丸ノコでできるらしいだが、さて、どこで売っているかなぁ…。

６月２７日　２．４ＧでＪＡ１ＣＹＣ下村さんとＱＳＯ。切断の話をしたところ、固定台がないと結構アブナイよ、とのお話を伺う。そして、「金属加工工場で切断してもらうとよい。その他のことも含めて、加工工場に知り合いをつくっておくといいですよ」と教えていただいた。なるほど、ながめて見たら、確かに大変そうだ。なにせ、生まれつきの不器用だからなぁ…。

６月２８日　前日が行事だったので、今日は「お疲れ休み」となった。それで電話帳を繰って、金属加工工場を探して電話した。一軒目は自分で機械を持っていないらしいので、パス。二軒目で工場長が出てくれて、持ってきたら切ってくれるというので、チャリででかけた。巨大な固定台付の丸ノコで、切断。７００円なりだった。

７月１日　１０Ｇアンプの入力部にもにSMAをつけてから、テストした。最初、300mW程度で焦ったが、出力部に近いあたりにゴテゴテとスタブをつけたら出るようになった。出力部にはもともと方向性結合器がついているのだが、今回は入力部にも方向性結合器を入れた。これで周囲の影響は最低限にできるかと思う。まだ２．５−３Ｗ程度だが、実験電源の関係で電圧は８Ｖ以下。約300mwでおしている。ただ蓋をすると二割か三割ほど出力が増えるので、まだ調整の余地はありそうだ。もう少し、電源を工夫してから、再度調整にあたってみたい。

＃ただ、どうもＡＴＴとパワー計がイマイチ信頼できないのが問題。少なめに出ることはわかっているので、それを加えれば結構出ているみたいな気もするのだが…。

７月３日　うーん、とんでもない失敗を・・・・。１０Ｇ軍艦　ＦＥＴ一段目のゲートに半田カスがおちたのか、電圧チェックの後にドレインをかけたら、一段目が一瞬で昇天してしまった模様。うー・・・こりゃあどうにもならん。いかん！！しばらく落ち込んでいよう・・・。手持ちのＦＥＴ（２Ｗもの）もあることはあるのだが、根本的に再考しないとダメそうだ。シクシク…。

７月４日　これはどうにもならない、と思っていたら、再び長野から救いの手がさしのべられた。手持ちを譲って下さるというのだ。なんともありがたい限りの話。それにしても、どうやったら再び飛ばさないようになるのだろうか…。

７月５日　さらにＹＡＭＡ−ＭＬのたくさんの方より、ＦＥＴを飛ばさないためのノウハウを伝授していただく。それは・・・

１）ゲートバイアスがかかってからでないとドレインに電圧がかからないようにする。簡単にはマイナス電圧をＤＣ−ＤＣコンバーターで作り、リレーでもってドレイン電源を入れるようにする。
２）ドレイン過電流保護のため、ドレインの絶対最大定格以下で電圧が落ちる三端子レギュレーターをつけ、各ＦＥＴごとに分割した電源として使う。本当は定電流回路や電圧制御回路がいいのだが、これでもちゃんと考えれば保護回路になる。

うーん。どうやろうかなぁ。りれー回路か、はたまたトランジスタ回路か、しばし考えよう。

７月１３日　今週は、毎日ともかく暑くてバテていたが、今日は「これじゃイカン！！」とコテを持ち、ごそごそ・・・。１０Ｇ−ＨＰＡの実験を再開した。
　さて、今度はゲートバイアス電源をDC-DCの大きめので取り、その−１２Ｖにてリレーを動かして、−１２Ｖが切れたらドレインも切れるようにした。また、ドレインの過電流素子のため、三端子REGをそれぞれのＦＥＴごとにわけて、一段目１Ａまで、二段目はパラで２Ａまで、としてみた。石を交換して、あれこれとやってみた。テストは明日かなぁ。

７月１４日　土曜日の午後、仕事から帰ってとりかかる。まず何度も点検してから、マイナスをかけてゲート電圧を−１．６Ｖ程度に固定。その後、１０ＧのＴＲＶより出力を6dBのＡＴＴをかましていれてやると、最初は２Ｗ程度。スタブの位置を微調したら３Ｗ弱。そこで入力を少し増やして、3dBのＡＴＴにして300mＷ＋＠にしたら、３．５Ｗとなった。とりあえず、今日はここまで。
　以上はドレイン９Ｖにて確認していたので、次には三端子にダイオードで下駄をはかせて、１０Ｖにしてみようと思う。

７月１７日　今日は早く帰れたので、晩飯を作って子どもと食べてから、作業にとりかかる。途中で１０Ｇのトランスバーターがトラブルを起こしたりしたので、手間取った。でも、１０１１−４の方のドレイン電源のための三端子で、アースまでの間にダイオードを入れて約１０ｖにしてみた。これでスタブを調整すると、なんとか４ｗ。うーん、あと一息かな。

７月１９日　今日も引き続き、軍艦と格闘してみた。１０１１−２の方もドレインを１０Ｖにあげて微調整。でも、出力はあまり増えない。うーん、ここまでかなぁ。いろいろいいじっても、出力が変化しなくなった。あと一歩なんだけどな。また、試しに試しに入力に３ｄＢのＡＴＴを入れたら２Ｗになった。まあ、私の腕ではこんなものかなぁ…。

７月２１日　サトーさんでとりあえず、ケースを買ってきた。放熱器がでかいので、中にいれないで、下の回路部分だけを被うものにした。でかい穴をあけて、ヒートシンクを取りつけて、本体を固定する。Ｎ→ＳＭＡの変換やＳＭＡの中継（出力）、さらせには電源の端子などの穴をあけてとりあえず、蓋ができるようにした。さーて、スタンバイを考えなくちゃね。